英飞凌EDT3芯片：驱动电动汽车续航新纪元

2931520068 · 发表于昨天 20:41

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随着纯电动汽车（BEV）和插电式混合动力电动汽车（PHEV）市场的迅猛发展，电动汽车的产量和销量均呈现出快速增长的态势。

展望未来，预计到2030年，电动汽车的生产比例将实现显著增长，从2024年的20%攀升至约45% [1]。英飞凌推出针对800V系统的EDT3和RC-IGBT芯片来应对市场需求。

为应对高压汽车IGBT芯片日益旺盛的市场需求，全球半导体行业的佼佼者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY），在功率系统和物联网领域持续创新，隆重推出新一代产品。这些产品不仅包括专为400V和800V系统打造的EDT3（第三代电力传动系统）芯片，还特别为800V系统量身定制了RC-IGBT芯片。这些创新产品能够显著提升电力传动系统的性能，为汽车应用提供卓越支持。

> EDT3芯片优势与设计
EDT3和RC-IGBT裸芯片的设计理念是为客户提供高性能且稳定的解决方案，助力他们开发出满足特定需求的功率模块。 EDT3芯片通过大幅优化的损耗及提升最高结温，实现了更高的性能和效率，支持更长的续航里程和更环保的驾驶体验。相较于前代产品EDT2，新一代EDT3在保持低负载效率的同时，高负载下的总损耗降低了20%，实现了性能与效率的双重提升。这一显著进步归功于英飞凌对芯片损耗的大幅优化以及对最高结温的提升，从而在保证芯片高性能的同时，也实现了对能耗的有效控制。因此，配备EDT3芯片的电动汽车能够拥有更长的续航里程，同时降低能源消耗，为用户带来更加环保、经济且高效的驾驶体验。

> EDT3技术应用与性能
EDT3芯片组提供750V和1200V两种电压等级，适用于纯电动汽车、插电式混合动力电动汽车、增程式电动汽车等各类车型的主逆变器。 EDT3芯片组适用于多种电动汽车，提供高电压下的可靠性能，优化小型化设计，降低系统成本。其高性能特点体现在高输出电流上，优化后的设计使得芯片尺寸缩小，便于制造更紧凑的模块，从而降低整体系统成本。此外，该芯片的最大虚拟结温达到185°C，最大集电极-发射极额定电压为750V和1200V，非常适合高性能应用。通过采用EDT3芯片，汽车制造商能够设计出更加高效且可靠的动力传动系统，助力延长行驶里程并减少排放。

> RC-IGBT技术应用与优势
1200V RC-IGBT通过集成IGBT与二极管功能，提升了性能，实现了更高的电流密度，相较于分离的IGBT和二极管芯片组，具有显著的系统成本优势。 1200V RC-IGBT芯片通过集成IGBT与二极管功能，提高了电流密度和系统成本效益，简化了制造流程。此外，其可扩展的芯片尺寸和简化了的组装流程，进一步优化了成本。

> 供货情况与未来规划
EDT3和RC-IGBT新品现已开始提供样品。 EDT3和RC-IGBT新品已开始提供样品，显示出英飞凌在推动技术落地方面的积极态度。

> 灵活定制与技术支持
所有EDT3和RC-IGBT芯片产品均提供灵活的定制芯片布局，包括片上温度和电流传感器。提供灵活的芯片布局和定制选项，英飞凌强调根据客户需求实现系统的最佳性能。同时，英飞凌还根据客户需求提供烧结、焊接和键合等金属化选项。

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